低成本，高性能20W  双C  PD快充充电器方案

      该方案采用（硅动力）SP6649FL+SP6516FD+（速芯微）FS8611RB20W；实现低成本，超简外围，20W 双C PD充电器；

SP6649FL 是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置650V 高压功率MOSFET，芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。 

SP6649FL在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。 

SP6649FL内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。 

SP6649FL采用SOP8 封装。 

特点 

  全电压范围输入时待机功耗小于 75mW 

  内置650V 高压功率管 

  软启动可用来减少MOSFET 上Vds的应力 

  抖频功能，改善EMI性能 

  跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗 

  无噪声工作 

  固定65KHz 开关频率 

  内置同步斜坡补偿 

  低启动电流，低工作电流 

  内置前沿消隐(LEB)功能 

  过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）  

  VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO）， VDD电压箝位，过温保护（OTP）  

同步采用SP6516FD，SOP8封装，内置MOS，耐压60V；

协议采用速芯微的FS8611，20-65W，功率可定制；

20W-65W均可定制开发，C+A、C+C、单C；更多资料请与我们联系！