CS5266E
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集成Charge Pump升压模块，集成AB类D类两种工作模式，GF类音频功放
输出功率（Cout=1uF+10uF,NCN OFF@DMODE）
VBAT=5.0V，THD+N=10% RL=4Ω@5.15W；RL=8Ω@3.0W
VBAT=5.0V，THD+N=1% RL=4Ω@4.2W；RL=8Ω@2.3W
VBAT=3.6V，THD+N=10% RL=4Ω@3.4W；RL=8Ω@2.7W
VBAT=3.6V，THD+N=1% RL=4Ω@2.85W；RL=8Ω@2.2W
输出功率（Cout=1uF+100uF,NCN OFF@DMODE）
VBAT=5.0V，THD+N=10% RL=4Ω@5.2W；RL=8Ω@3.05W
VBAT=5.0V，THD+N=1% RL=4Ω@4.3W；RL=8Ω@2.35W
VBAT=3.6V，THD+N=10% RL=4Ω@4.0W；RL=8Ω@2.8W
VBAT=3.6V，THD+N=1% RL=4Ω@3.5W；RL=8Ω@2.3W
商品详细
CS5266E的外围可应用低成本全贴片的阻容器件，在以锂电池供电的移动式音频设备中，CS5266E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5266E的全差分架构和极高的 PSRR有效地提高了CS5266E对RF噪声的抑制能力。另外CS5266E内置了过流保护和过热保护，有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5266E提供了ESOP10的封装类型，其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
集成Charge Pump升压模块，集成AB类D类两种工作模式 GF类音频功放，输入电压范围∶2.7~5.5V关断电流∶ <1μA待机电流∶ 20mA@5V， D类调制频率∶ 350KHz，防破音模式开关，AERC专利技术，提供优异的全带宽EMI抑制能力，优异的"噼噗-咔嗒"（pop-noise）杂音抑制能力，高的电源抑制比（PSRR）∶在217Hz下为-80dB，过温保护，过压保护。
