SP6649HF  高性能、低功耗开关电源控制芯片  

一、概述 
SP6649HF 是一颗电流模式PWM 控制芯片，内置650V 高压功率MOSFET，应用于功率在30W以
内的方案。SP6649HF 在PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者
轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的
工作效率。SP6649HF 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以
此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振
荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time） ，消除缓冲网络中的二
极管反向恢复电流对电路的影响。SP6649HF 采用了抖频技术，能够有效改善系统的EMI 性能。系统
的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。SP6649HF 内置多种保护，包
括逐周期限流保护 （OCP） ， 过载保护 （OLP） ， 过压保护 （VDD OVP） ， VDD 过压箝位， 欠压保护 （UVLO） ，
过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控
制。 
 
 
二、特点 
  全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于75mW 
  内置650V 高压功率管 
  4ms软启动用来减少MOSFET 上Vds 的应力 
  抖频功能，改善EMI 性能 
  跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗 
  无噪声工作 
  固定65KHz 开关频率 
  内置同步斜坡补偿 
  低启动电流，低工作电流 
  内置前沿消隐(LEB)功能 
  过载保护（OLP） ，逐周期限流保护（OCP） 
  VDD 过压保护（VDD OVP） ，欠压保护（UVLO） ，VDD 电压箝位 
  过温保护（OTP） 
  SOP8 无铅封装 
 
四、应用范围 
  充电器 
  PDA、数码相机、摄像机电源适配器 
  机顶盒电源 
  开放框架式开关电源 
  个人电脑辅助电源